Het nieuwste 18A -knooppunt van Intel maakt golven in de halfgeleiderindustrie, wat beter presteert dan de N2 van concurrenten TSMC en de SF2 -knooppunten van Samsung in de 2NM Performance Class.
Intel’s 18A -knooppunt behaalde een prestatiescore van 2,53, waarbij de score van TSMC N2 van 2,27 en de score van Samsung SF2 van 2,19 overtroffen. Dit positioneert Intel als leider in de 2NM -prestatiecategorie. De superieure prestaties van Intel 18A worden toegeschreven aan zijn innovatieve functies, waaronder het eerste knooppunt dat een backside power levering netwerk (BSPDN) opneemt.
De BSPDN verbetert de prestaties van het knooppunt aanzienlijk door de lay -outefficiëntie, het gebruik van componenten, interconnectweerstand en ISO -vermogensprestaties te verbeteren. Specifiek verhoogt BSPDN lay-outefficiëntie en het gebruik van componenten met 5-10%, verlaagt de interconnectweerstand en verbetert de ISO-vermogensprestaties tot 4%. Dit wordt bereikt door een significante daling van de intrinsieke weerstand in vergelijking met traditionele front-end vermogensroutering.
In vergelijking met zijn voorganger, Intel 3, levert het 18A -proces een verbetering van de prestaties per watt met 15% en bereikt een toename van de transistormichtheid met 30%. Deze vooruitgang onderstreept de vooruitgang van Intel in halfgeleidertechnologie, waardoor het 18A -knooppunt zeer competitief is.
Het 18A -knooppunt van Intel is voorzien van het Libbonfet -ontwerp, dat de risicoproductie heeft ingevoerd. Volgens Intel omvat dit stadium de productie van het splitsentestsvolume voordat het in de tweede helft van 2025 tot een hoog volume wordt geschaald.
Het 18A -knooppunt toont ook significante verbeteringen in SRAM -schaling. Hoogwaardige SRAM-cellen zijn gekrompen tot 0,023 µm² en cellen met hoge dichtheid tot 0,021 µm², wat aanzienlijke schaalverbeteringen aantoont. Deze vorderingen weerspiegelen schaalfactoren van respectievelijk 0,77 en 0,88, en betwisten eerdere veronderstellingen dat SRAM -schaalverdeling was gepland.
Intel’s innovatieve “rond-de-array” PowerVia-aanpak verbetert de mogelijkheden van het knooppunt verder. Door vermogens-vias te routeren naar I/O-, controle- en decodercircuits, bevrijdt deze aanpak het bitcelgebied van frontale voedingen, wat resulteert in een macro-bitdichtheid van 38,1 Mbit/mm². Dit positioneert Intel om het N2 -knooppunt van TSMC te evenaren in termen van dichtheid.
Het 18A-knooppunt is ingesteld in Panther Lake CPU’s, die gepland zijn voor testen eind 2025 en zendingen begin 2026. Deze aankomende implementatie onderstreept de bereidheid van het knooppunt voor integratie in Intel’s volgende generatie verwerkers, veelbelovende verbeterde prestaties en efficiëntie voor toekomstige computertoepassingen.
Source: Intel’s 18A -knooppunt presteert beter dan TSMC, Samsung in 2nm
